Description
Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.
Caractéristiques
● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif
● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =50A et Tj =25°C
● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée
Applications
● Soudage
● UPS
● Onduleur à trois niveaux