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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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G50T65D

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, alta resistencia de avalancha de avalancha fácil de operación paralela
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Descripción

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, una operación paralela fácil de alta avalancha de avalancha.

Características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 2.0V @ IC = 50A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones

● Soldadura

● UPS

● Inverter de tres niveles


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