G50T65D

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo

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Descripción del Producto

Descripción

Características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,0 V @ IC = 50 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones

● Soldadura

● SAI

● Inversor de tres niveles

G50T65D

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