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Descripción
Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo.
Características
● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo
● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,0 V @ IC = 50 A y Tj = 25 °C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Aplicaciones
● Soldadura
● SAI
● Inversor de tres niveles




