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DH100P20D

Ces VDMOSFET améliorés à canal P, utilisant une technologie et une conception de tranchée avancées, offrent un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
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Description

Ces VDMOSFET améliorés à canal P, utilisant une technologie et une conception de tranchée avancées, offrent un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

Caractéristiques

● Commutation rapide

● Faible résistance ON

● Faible charge de porte

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

Applications

● Convient aux pilotes de moteur.

● Régulateurs de commutation

● Convertisseurs et pilotes de relais

● Alerteur


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