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DH100P20D

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
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Description

Ces VDMOSFETs améliorés par le canal P, utilisés et la conception avancés de la tranchée avancée, fournissent à un excellent RDSON avec une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.

Caractéristiques

● Commutation rapide

● Faible de résistance

● Charge de porte basse

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS

Applications

● Convient aux conducteurs de moteur.

● Commutation des régulateurs

● Convertisseurs et conducteurs de relais

● Alertor


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