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DH100P20D

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.

Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

Anwendungen

● Geeignet für Motorfahrer.

● Regulierungsbehörden wechseln

● Konverter und Relaistreiber

● Alarm


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