可用性: | |
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数量: | |
説明
高度なトレンチテクノロジーとデザインを使用したこれらのPチャネル強化VDMOSFETは、低いゲートチャージで優れたRDSONに提供されます。 ROHS標準と一致しています。
特徴
●高速スイッチング
●抵抗が少ない
●低ゲートチャージ
●低い逆転送容量
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
アプリケーション
●モータードライバーに適しています。
●レギュレーターの切り替え
●コンバーターとリレードライバー
●アラートル
説明
高度なトレンチテクノロジーとデザインを使用したこれらのPチャネル強化VDMOSFETは、低いゲートチャージで優れたRDSONに提供されます。 ROHS標準と一致しています。
特徴
●高速スイッチング
●抵抗が少ない
●低ゲートチャージ
●低い逆転送容量
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
アプリケーション
●モータードライバーに適しています。
●レギュレーターの切り替え
●コンバーターとリレードライバー
●アラートル