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5A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Gerätespezifikation D5N50 und B5N50.pdf
5A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Gerätespezifikation D5N50 und B5N50.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
18N50/F18N50/18N50D
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
220 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Gerätespezifikation DH009N02P.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
16A 600V Fast-Recovery-Diode MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH009N02U
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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