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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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10,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
30 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Gerätespezifikation DCE30D65G4.pdf
-50A -60V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Gerät+DH300P06L+Spezifikation+Rev.2.0.pdf
7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 100 V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MAUT 100V 180A Gerät+DHS025N10U+Spezifikation+V2.0.pdf
500V/4A Halbbrücke IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Gerät DH240N06L Spezifikation Rev.2.0.pdf
80 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH045N04P DFN5X6-PAKET DH045N04P DFN5X6 40V 80A Gerätespezifikation DH045N04P(1).pdf
500V/3A Halbbrücke IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA TOLL-Paket DSU010N04LA
240 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Datenblatt+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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