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320A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

320A 20V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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  • DH009N02U

  • Wxdh

320A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● Stromverwaltung für Wechselrichtersysteme

● Batteriemanagement

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
20V 0,95 mΩ 320a


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