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DH009N02U
Wxdh
320A 20V MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N
1 descripción
El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Gestión de energía para sistemas de inversores
● Gestión de la batería
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
20V | 0.95mΩ | 320A |
320A 20V MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N
1 descripción
El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Gestión de energía para sistemas de inversores
● Gestión de la batería
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
20V | 0.95mΩ | 320A |