brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
10,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
30A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Specifikace zařízení DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Zařízení+DH300P06L+Specifikace+Rev.2.0.pdf
7,0A 1700V N-kanálový SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MÝTNÉ 100V 180A Zařízení+DHS025N10U+Specifikace+V2.0.pdf
500V/4A Half-Bridge IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Specifikace zařízení DH240N06L Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04P BALENÍ DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40V 80A Specifikace zařízení DH045N04P(1).pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
Balíček DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
240A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky