brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » F7n80

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

F7N80

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL.
Dostupnost:
Množství:

Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL.

Funkce

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost

● nízký odpor (RDSON ≤ 1,8Ω)

● Nízký nabití brány (typ: 33,9 NC)

● nízký reverzní přenosový kapacita (typ: 11,2pf)

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS

Aplikace

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty