Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd

φόρτωση

Μοιράστε σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

F7N80

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας.Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.Το TO-220F παρέχει ονομαστική τάση μόνωσης στα 2000V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα.Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας.Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.Το TO-220F παρέχει ονομαστική τάση μόνωσης στα 2000V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα.Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL.

Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤1,8Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 33,9nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 11,2 pF)

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%.

Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη ισχύος έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα.


Προηγούμενος: 
Επόμενο: 

κατηγορία προιόντος

Τελευταία νέα

  • Εγγραφείτε στο newsletter μας
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Εγγραφείτε