ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.8Ω)
● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 33.9nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 11.2pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် အဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.8Ω)
● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 33.9nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 11.2pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် အဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
