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Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo.La serie TO-220F cumple con los estándares UL.
Características
● Cambio rápido
● Capacidad mejorada de ESD
● Baja resistencia (Rdson≤1.8Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 33,9 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 11,2 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
Aplicaciones
● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.
Descripción
Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.TO-220F proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales al disipador térmico externo.La serie TO-220F cumple con los estándares UL.
Características
● Cambio rápido
● Capacidad mejorada de ESD
● Baja resistencia (Rdson≤1.8Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 33,9 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 11,2 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
Aplicaciones
● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.
