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F7N80

이러한 N 채널 강화 vdmosfet는 전도 손실을 줄이고 스위칭 성능을 향상시키며 애벌런치 에너지를 향상시키는 자체 정렬 평면 기술을 통해 얻어집니다.RoHS 표준을 준수합니다.TO-220F는 3개 단자 모두에서 외부 방열판까지 2000V RMS 정격 절연 전압을 제공합니다.TO-220F 시리즈는 UL 표준을 준수합니다.
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설명

이러한 N 채널 강화 vdmosfet는 전도 손실을 줄이고 스위칭 성능을 향상시키며 애벌런치 에너지를 향상시키는 자체 정렬 평면 기술을 통해 얻어집니다.RoHS 표준을 준수합니다.TO-220F는 3개 단자 모두에서 외부 방열판까지 2000V RMS 정격 절연 전압을 제공합니다.TO-220F 시리즈는 UL 표준을 준수합니다.

특징

● 빠른 전환

● ESD 성능 향상

● 낮은 저항(Rdson≤1.8Ω)

● 낮은 게이트 전하(Typ: 33.9nC)

● 낮은 역전송 정전용량(일반: 11.2pF)

● 100% 단일 펄스 애벌런치 에너지 테스트

● 100% ΔVDS 테스트

응용

● 시스템 소형화 및 고효율화를 위해 다양한 전원 스위칭 회로에 사용됩니다.

● 전자안정기 및 어댑터의 전원 스위치 회로.


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