Наличие: | |
---|---|
Количество: | |
Описание
Эти N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.TO-220F обеспечивает напряжение изоляции номиналом 2000 В (среднеквадратичное значение) от всех трех клемм до внешнего радиатора.Серия TO-220F соответствует стандартам UL.
Функции
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD.
● Низкое сопротивление (Rdson≤1,8 Ом).
● Низкий заряд затвора (тип: 33,9 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (тип: 11,2 пФ).
● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом
● 100 % ΔVDS-тест.
Приложения
● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
Описание
Эти N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.TO-220F обеспечивает напряжение изоляции номиналом 2000 В (среднеквадратичное значение) от всех трех клемм до внешнего радиатора.Серия TO-220F соответствует стандартам UL.
Функции
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD.
● Низкое сопротивление (Rdson≤1,8 Ом).
● Низкий заряд затвора (тип: 33,9 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (тип: 11,2 пФ).
● 100% испытание лавинной энергии одним импульсом
● 100 % ΔVDS-тест.
Приложения
● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. была основана в декабре 2004 года и расположена по адресу № 88, Zhongtong East Road, Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Он занимает площадь 15000м2.Уставный капитал составляет 81,5 миллиона юаней.Он имеет годовую производственную линию мощностью 500 миллионов де
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.
Компания Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., основанная в декабре 2004 года, расположена по адресу № 88, East Zhongtong Road, город Шуофан, район Синьу, город Уси, провинция Цзянсу.Это крупное высокотехнологичное предприятие площадью 15 000 квадратных метров и уставным капиталом в 81,50 миллиона юаней.