注: 建议图片大小150 ፒክስል*50 ፒክስል 
 |
| ፡ ብዛት | |
|---|---|
መግለጫ
እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።TO-220F ከሦስቱም ተርሚናሎች ወደ ውጫዊ ሙቀት በ 2000V RMS የተገመተ የኢንሱሌሽን ቮልቴጅ ያቀርባል።TO-220F ተከታታይ የ UL ደረጃዎችን ያከብራሉ።
ዋና መለያ ጸባያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD ችሎታን አሻሽሏል።
● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤1.8Ω)
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 33.9nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 11.2pF)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።
መግለጫ
እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል።የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።TO-220F ከሦስቱም ተርሚናሎች ወደ ውጫዊ ሙቀት በ 2000V RMS የተገመተ የኢንሱሌሽን ቮልቴጅ ያቀርባል።TO-220F ተከታታይ የ UL ደረጃዎችን ያከብራሉ።
ዋና መለያ ጸባያት
● ፈጣን መቀያየር
● ESD ችሎታን አሻሽሏል።
● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤1.8Ω)
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 33.9nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 11.2pF)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።
