Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
Tanım
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. TO-220F, her üç terminalden de dış soğutucu olarak 2000V rms olarak derecelendirilen yalıtım voltajı sağlar. TO-220F Serisi UL standartlarına uygundur.
Özellikler
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (RDSON≤1.8Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 33.9NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 11.2pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
Başvuru
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.
Tanım
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. TO-220F, her üç terminalden de dış soğutucu olarak 2000V rms olarak derecelendirilen yalıtım voltajı sağlar. TO-220F Serisi UL standartlarına uygundur.
Özellikler
● Hızlı anahtarlama
● ESD Geliştirilmiş özellik
● Direnç düşük (RDSON≤1.8Ω)
● Düşük kapı şarjı (tip: 33.9NC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 11.2pf)
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
Başvuru
● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.