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F7N80

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL基準に準拠しています。
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説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 TO-220Fは、3つの端子すべてから外部ヒートシンクまでの2000V RMSの定格断熱電圧を提供します。 TO-220Fシリーズは、UL基準に準拠しています。

特徴

●高速スイッチング

●ESDは機能を改善しました

●抵抗が少ない(rdson≤1.8Ω)

●低ゲートチャージ(typ:33.9nc)

●低い逆転送容量(typ:11.2pf)

●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100%ΔVDSテスト

アプリケーション

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路。


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