F7N80

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェエネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。TO-220F は、3 つの端子すべてから外部ヒートシンクまで定格 2000V RMS の絶縁電圧を提供します。TO-220FシリーズはUL規格に準拠しています。

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製品説明

説明

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェエネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。TO-220F は、3 つの端子すべてから外部ヒートシンクまで定格 2000V RMS の絶縁電圧を提供します。TO-220FシリーズはUL規格に準拠しています。

特徴

●高速スイッチング

● ESD 能力の向上

●低オン抵抗(Rdson≦1.8Ω)

● 低いゲート電荷(Typ: 33.9nC)

●低い逆伝達容量(Typ:11.2pF)

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト

アプリケーション

●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。

●電子安定器とアダプターの電源スイッチ回路。