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18N50/F18N50/18N50D
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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Especificación del dispositivo DH009N02P.pdf
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200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N A-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo recuperación rápida 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT A-220M 600V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT A-263 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 320 A y 20 V DH009N02U
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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