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MOSFET DJD380N65T TO-252B del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 650V DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH300P06L TO-220C DH300P06L A-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEAJE 100V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificación+V2.0.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 33A 60V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Dispositivo DH240N06L Especificación Rev.2.0.pdf
PAQUETE MOSFET DH045N04P DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 40V DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificación del dispositivo DH045N04P(1).pdf
Medio puente 500V/3A IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA Paquete de PEAJE DSU010N04LA
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 240A 60V DHS022N06 TO-220C DHS022N06 A-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Hoja de datos+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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