MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 220 A y 20 V

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
20V	1mΩ	220A