未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 220A 20V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DH009N02P DFN5*6-8

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

220A 20V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DH009N02P DFN5*6-8

220A 20V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

220A 20V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis 

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabil napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotovil odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test


3 aplikacije 

● Aplikacije za preklop napajanja 

● Sistem upravljanja pretvornikov 

● Električna orodja 

● Avtomobilska elektronika

VDS RDS (ON) (Typ) Id
20V 1mΩ 220A


Prejšnji: 
Naslednji: 
220A 20V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM