220A 20V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH009N02P DFN5*6-8

220A 20V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
20V	1mΩ	220A