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Modulo mezzo ponte 800A 1200V Modulo IGBT DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza DHS045N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 85 V DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N85-Rev.2.0.pdf
-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40 V -10A Dispositivo+DH170P04V+Specifica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 81A 80V DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Dispositivo DH060N08 Specifiche.pdf
DSG014N04N TO-220CPacchetto DSG014N04N TO-220C 40 V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pacchetto DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Specifiche del dispositivo DHP50P04(DFN56)(1).pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
Diodo Barriera Schottky MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100 V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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