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MOSFET di potenza B5N50 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V B5N50 TO-251B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
MOSFET di potenza MOSFET D5N50 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 5 A 500 V D5N50 TO-252B 500 V 5A Specifiche del dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
18N50/F18N50/18N50D
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 220A 20V DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Dispositivo DH009N02P Specifiche.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 200 V/11 mΩ/110 A DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT TO-220M 600 V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 320 A 20 V DH009N02U
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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