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MOSFET di potenza a giunzione super canale N da 10,6 A 650 V DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specifiche del dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Specifiche+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDAGGIO 100 V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Specifiche+V2.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 33 A 60 V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Dispositivo DH240N06L Specifiche Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 40 V PACCHETTO DFN5X6 DH045N04P DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specifiche del dispositivo DH045N04P(1).pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA Pacchetto PEDAGGIO DSU010N04LA
MOSFET di potenza DHS022N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 60 V DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Scheda Tecnica+V2.0.pdf
DH030N03
F7N80
DH100P20D
G40N120D
G50T65D
MBRF20100CT

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