Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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G40N120D

Gli IGBT Field Stop Trench ROUM offrono basse perdite di commutazione, elevata efficienza energetica e robustezza al cortocircuito.
È progettato per applicazioni quali controllo motori, gruppi di continuità (UPS), inverter generali.
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Quantità:

Descrizione generale :

Gli IGBT Field Stop Trench ROUM offrono basse perdite di commutazione, elevata efficienza energetica e robustezza al cortocircuito.

È progettato per applicazioni quali controllo motori, gruppi di continuità (UPS), inverter generali.

Caratteristiche :

● Commutazione ad alta velocità

● Elevata robustezza, comportamento stabile alla temperatura

● Tempi di resistenza al cortocircuito ⋎10us

● Capacità valanghe estremamente migliorata

Tipo VCES Circuito integrato Ptot (TC=25℃) VCE(SAT)
G40N120D 1200 V 40A 357 W 1,9 V


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