未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » IGBT » 1200V-1700V » G40N120D

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

G40N120D

ROUM Field Stop Trench IGBT:er erbjuder låga kopplingsförluster, hög energieffektivitet och kortslutningsrubbighet.
Den är designad för applikationer som motorstyrning, oavbruten strömförsörjning (UPS), allmänna växelriktare.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg i varukorgen

Allmän beskrivning :

ROUM Field Stop Trench IGBT:er erbjuder låga kopplingsförluster, hög energieffektivitet och kortslutningsrubbighet.

Den är designad för applikationer som motorstyrning, oavbruten strömförsörjning (UPS), allmänna växelriktare.

Funktioner :

● Höghastighetsväxling

● Hög robusthet, temperaturstabilt beteende

● Tål kortslutningstider ⋎10us

● Extremt förbättrad lavinkapacitet

Typ VCES Ic Ptot (TC=25℃) VCE(SAT)
G40N120D 1200V 40A 357W 1,9V


Tidigare: 
Nästa: 
G40N120D
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com