DSG014N04N TO-220CPacchetto

MOSFET N 40 V 200 A

1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Bassa resistenza

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

3 applicazioni 

● Controllo e azionamento del motore

● Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

● Raddrizzatore sincrono per SMPS

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
40 V	1,3 mΩ	200A