gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nandito ka: Bahay » Mga produkto » MOSFET » 12V-300V N MOS » DSG014N04N TO-220CPackage

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

DSG014N04N TO-220CPackage

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na splite gate trench technology na disenyo, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
Availability:
Dami:

40V 200A N-MOSFET


1 Paglalarawan 

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na splite gate trench technology na disenyo, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 


2 Mga Tampok


● Mababa ang resistensya

● Mababang reverse transfer capacitances

● 100% single pulse avalanche energy test 

● 100% ΔVDS test 

Pb-free plating/Halogen-Free/ RoHS compliant


3 Aplikasyon 

● Kontrol at pagmamaneho ng motor

● Charge/Discharge para sa Battery Management System

● Synchronous Rectifier para sa SMPS



VDSS RDS(on)(TYP) ID
40V 1.3mΩ 200A


Nakaraan: 
Susunod: 
  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap
    na pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox