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DSG014N04N TO-220CPaket

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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40V 200A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen


● Geringer Widerstand

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

Bleifreie Beschichtung/Halogenfrei/RoHS-konform


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS



VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 1,3 mΩ 200A


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