port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12V-300V N MOS » DSG014N04N TO-220CPACKage

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknapp
Sharethis delingsknapp

DSG014N04N TO-220CPACKAGE

Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte Advanced Splite Gate Trench Technology Design, ga utmerket RDSON og Low Gate Charge. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:

40V 200A N-MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte Advanced Splite Gate Trench Technology Design, ga utmerket RDSON og Low Gate Charge. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner


● Lav på motstand

● Lav omvendte overføringskapasitanser

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 

PB-Free Plating/ Halogen-Free/ ROHS-kompatibel


3 søknader 

● Motorkontroll og stasjon

● Lad/utladning for batteriledelsessystem

● Synkron likeretter for SMP



VDSS Rds (på) (typ) Id
40V 1,3 mΩ 200A


Tidligere: 
NESTE: 
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen