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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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10A 200V Diodo de recuperação rápida D92-02B to-3pn

10a, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de
construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada em íons, implantada por íons.
Disponibilidade:
Quantidade:

10A 200V Diodo de recuperação rápida


1 Descrição

10a, 200V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada em íons, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação 


2 recursos

  •  Baixa perda de energia, 

  •  tensão de alta eficiência de baixa eficiência, 

  •  alta capacidade de alta capacidade de alta capacidade

  •  Tempos de recuperação super rápidos

  •  alta tensão 


3 aplicações 

  •  Fonte de alimentação de comutação

  •  Circuitos de comutação de energia 

  •  Fonte de alimentação do inversor

Vbr VF (único) (max) Se (av) (único)
200V 0,95V 10a



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