450A 1200V MODUL HALF BRIDGE IGBTModule DGB450H120L2T 62MM

450A 1200V MODILNÍ MODUL

1 Popis 

Tyto izolované bipolární tranzistor brány používaly technologický design Advanced Trench a Fieldstop, poskytoval vynikající rychlost VCESAT a přepínání, nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.

2 funkce 

  ● Technologie příkopu FS, koeficient pozitivní teploty 

  ● Nízké nasycené napětí: VCE (SAT), TYP = 1,75V @ IC = 450A a TJ = 25 ° C 

  ● Extrémně vylepšená schopnost laviny

3 aplikace 

• Svařování 

• UPS 

• Třídavý střídač 

• AC a DC Servo Drive zesilovač

  
  

  Typ	VCE	IC	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Balík
  DGB450H120L2T	1200V	450a (TJ = 100 ℃)	1,75V (typ)	175 ℃	62 mm