450A 1200V Halbbrückenmodul IGBTMODUL DGB450H120L2T 62 mm

450a 1200 V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung 

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale 

  ● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient 

  ● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 1,75 V @ IC = 450a und TJ = 25 ° C 

  ● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit

3 Anwendungen 

• Schweißen 

• UPS 

• Drei-Level-Wechselrichter 

• AC- und DC -Servo -Antriebsverstärker

  
  

  Typ	VCE	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Paket
  DGB450H120L2T	1200V	450a (TJ = 100 ℃)	1,75 V (Typ)	175 ℃	62 mm