450a 1200V Half Bridge Module IgbtModule DGB450H120L2T 62mm

450A 1200V Half Bridge Module

1 Beskrivelse 

Disse isolerede gate -bipolære transistorer brugte avanceret grøft og feltstop -teknologi -design, gav fremragende VCESAT og skifthastighed, lav portafgift. Der stemmer overens med ROHS -standarden.

2 funktioner 

  ● FS -grøfteknologi, positiv temperaturkoefficient 

  ● Lav mætningspænding: VCE (SAT), TYP = 1,75V @ IC = 450A og TJ = 25 ° C 

  ● Ekstremt forbedret lavineevne

3 applikationer 

• Svejsning 

• Ups 

• Tre-Leve Inverter 

• AC og DC Servo Drive Amplifier

  
  

  Type	Vce	Ic	VCESAT, TJ = 25 ℃	Tjop	Pakke
  DGB450H120L2T	1200v	450a (TJ = 100 ℃)	1,75V (typ)	175 ℃	62 mm