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Módulo IGBTModule DGB450H120L2T 62mm da meia ponte de 450A 1200V

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

Módulo meia ponte 450A 1200V

1 Descrição 

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.


2 recursos 

  ● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

  ● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 1,75V @ IC =450A e Tj = 25°C 

  ● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

3 aplicações 

  • Soldagem 

  • UPS 

  • Inversor de três níveis 

  • Amplificador de servoacionamento AC e DC


    Tipo VCE Eu VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pacote
    DGB450H120L2T 1200 V 450A (Tj=100℃) 1,75 V (típico) 175°C 62MM
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