port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT-MODUL » PIM » 450A 1200V Halvbromodul IGBTModule DGB450H120L2T 62mm

lasting

Del til:
Facebook delingsknapp
twitter-delingsknapp
linjedelingsknapp
wechat-delingsknapp
linkedin delingsknapp
pinterest delingsknapp
whatsapp delingsknapp
del denne delingsknappen

450A 1200V Halvbromodul IGBTModule DGB450H120L2T 62mm

Disse bipolare isolerte gatetransistorene brukte avansert grøfte- og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCEsat og svitsjhastighet, lav portlading. Som samsvarer med RoHS-standarden.
Tilgjengelighet:
Antall:

450A 1200V Halvbromodul

1 Beskrivelse 

Disse bipolare isolerte gatetransistorene brukte avansert grøfte- og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCEsat og svitsjhastighet, lav portlading. Som samsvarer med RoHS-standarden.


2 funksjoner 

  ● FS Trench Technology, positiv temperaturkoeffisient 

  ● Lav metningsspenning: VCE(sat), typ = 1,75V @ IC =450A og Tj = 25°C 

  ● Ekstremt forbedret skredkapasitet

3 applikasjoner 

  • Sveising 

  • UPS 

  • Tre-trinns omformer 

  • AC og DC servodrivforsterker


    Type VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pakke
    DGB450H120L2T 1200V 450A (Tj=100℃) 1,75V (Typ) 175 ℃ 62MM
Tidligere: 
Neste: 
  • Meld deg på vårt nyhetsbrev
  • gjør deg klar for fremtiden
    registrer deg på vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett i innboksen din