port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT -modul » Pim » 450a 1200V Half Bridge Module IGBTModule DGB450H120L2T 62mm

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

450A 1200V Half Bridge Module IGBTModule DGB450H120L2T 62mm

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:

450A 1200V Half Bridge Module

1 Beskrivelse 

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.


2 funksjoner 

  ● FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient 

  ● Lav metningsspenning: VCE (SAT), typ = 1,75V @ ic = 450a og TJ = 25 ° C 

  ● Ekstremt forbedret snøskredfunksjon

3 søknader 

  • Sveising 

  • UPS 

  • Tre-leve inverter 

  • AC og DC Servo Drive -forsterker


    Type VCE IC Vcesat, TJ = 25 ℃ Tjop Pakke
    DGB450H120L2T 1200V 450a (TJ = 100 ℃) 1.75V (TYP) 175 ℃ 62mm
Tidligere: 
NESTE: 
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen