MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 35A 120V DSD270N12N3 TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 35 A y 120 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC 

● herramientas eléctricas 

● SAI 

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
120V	23mΩ	35A