πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » 35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

35A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 120 V Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Περιγραφή


Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας Splite gate, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Μετατροπείς DC-DC 

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα


VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
120V 23mΩ 35Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας