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35 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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35 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung


Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler 

● Elektrowerkzeuge 

● USV 

● Motorsteuerung


VDSS RDS AUSWEIS
120V 23mΩ 35A


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