35A 120V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35A 120V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung