未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12V-300V N MOS » 35a 120V N-kanalforbedringsmodus MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

35A 120V N-kanals forbedringsmodus MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35A 120V N-kanal Forbedringsmodus MOSFET
Tilgjengelighet:
Mengde:
Spørre Legg til kurv

35A 120V N-kanals forbedringsmodus MOSFET


1 Beskrivelse


Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte Advanced Splite Gate Technology Design, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner

● Rask bytte

● Lav på motstand

● Lav portladning 

● Lav omvendte overføringskapasitanser 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader 

● Power Switching -applikasjoner

● DC-DC-omformere 

● Kraftverktøy 

● UPS 

● Motorkontroll


VDSS Rds (på) (typ) Id
120V 23mΩ 35a


Tidligere: 
NESTE: 
35A 120V N-kanals forbedringsmodus MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen
    Send inn
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com