35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ Splite gate տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում

● Ցածր դիմադրություն

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ

● DC-DC կերպափոխիչներ 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● UPS 

● Շարժիչի կառավարում

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
120 Վ	23 mΩ	35Ա