35A 120V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အဆင့်မြင့် Splite gate technology ဒီဇိုင်းကို အသုံးပြုထားပြီး ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ
● DC-DC ပြောင်းစက်များ
● ပါဝါကိရိယာများ
● UPS
● မော်တာထိန်းချုပ်မှု
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 120V |
23mΩ |
35A |