未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 35a 120V N-Channel Mode Peningkatan daya MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

35A 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B

35A 120V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

35A 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi


Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur

● Pergantian cepat

● Rendah pada resistensi

● Biaya gerbang rendah 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya

● Konverter DC-DC 

● Alat listrik 

● UPS 

● Kontrol motor


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
120v 23mΩ 35a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
35A 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com