20A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F20N65 TO-220F

20A 650V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET

1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906). 

2 funkce 

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost 

● Nízký odpor (RDSON ≤ 0,50Ω)

● Nízká brána (Typ: 58NC) 

● nízký reverzní přenosový kapacita (typ: 20pf) 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikace 

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.