20A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET F20N65 TO-220F

20A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series cum UL signis observare (File ref:E252906). 

2 Features 

Fast commutatione

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤0.50Ω)

Praefectum portae Minimum (Typ: 58nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 20pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	0.39Ω	20A