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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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310A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH009N02 bis 220C

310A 20V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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310A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
20V 1,35 mΩ 310a


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