0,8a 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET B1N60 bis 251

0,8a 600 V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 15 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 4NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 2.6PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Elektronenballast und Adapter