0,8 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B1N60 TO-251

0,8 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤15Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 4 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 2,6 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
600V	11Ω	0,8A