rendelkezésre állása: | |
---|---|
Mennyiség: | |
B1N60
WXDH
TO-251B
600 V -os
0,8a
0.8A 600 V N-csatornás javító mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤15Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 4NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 2,6pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 11Ω | 0,8a |
0.8A 600 V N-csatornás javító mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤15Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 4NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 2,6pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 11Ω | 0,8a |