0.8A 600V N-canali Enhancement Modus Power MOSFET B1N60 TO-251

0.8A 600V N-canali amplificatio Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features

Fast commutatione 

● Minimum resistente (Rdson≤15Ω) 

Maximum crimen portae (Typ: 4nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 2.6pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

Power switch circuit electronico saburra et nibh

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
600V	11Ω	0.8A