التوفر: | |
---|---|
الكمية: | |
B1N60
WXDH
TO-251B
600 فولت
0.8A
0.8A 600V N-channel Mode Mode MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
2 ميزات
● التبديل السريع
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤15Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 4NC)
● انخفاض السعة النقل العكسي (TYP: 2.6PF)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
600 فولت | 11Ω | 0.8A |
0.8A 600V N-channel Mode Mode MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS.
2 ميزات
● التبديل السريع
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤15Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 4NC)
● انخفاض السعة النقل العكسي (TYP: 2.6PF)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
600 فولت | 11Ω | 0.8A |