গেট
জিয়াংসু ডংহাই সেমিকন্ডাক্টর কোং, লিমিটেড
আপনি এখানে আছেন: বাড়ি » পণ্য » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 0.8A 600V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET B1N60 TO-251

লোড হচ্ছে

এতে ভাগ করুন:
ফেসবুক শেয়ারিং বোতাম
টুইটার শেয়ারিং বোতাম
লাইন শেয়ারিং বোতাম
wechat শেয়ারিং বোতাম
লিঙ্কডইন শেয়ারিং বোতাম
Pinterest শেয়ারিং বোতাম
হোয়াটসঅ্যাপ শেয়ারিং বোতাম
শেয়ার করুন এই শেয়ারিং বোতাম

0.8A 600V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET B1N60 TO-251

0.8A 600V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET
উপলব্ধতা:
পরিমাণ:
  • B1N60

  • WXDH

  • TO-251B

  • 600V

  • 0.8A

0.8A 600V N-চ্যানেল এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET


1 বর্ণনা

এই এন-চ্যানেল বর্ধিত vdmosfets, স্ব-সংযুক্ত প্ল্যানার প্রযুক্তি দ্বারা প্রাপ্ত হয় যা পরিবাহী ক্ষতি কমায়, সুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং তুষারপাত শক্তি বাড়ায়। যা RoHS মান মেনে চলে। 


2 বৈশিষ্ট্য

● দ্রুত স্যুইচিং 

● প্রতিরোধ ক্ষমতা কম (Rdson≤15Ω) 

● কম গেট চার্জ (প্রকার: 4nC) 

● কম রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিট্যান্স (টাইপ: 2.6pF) 

● 100% একক পালস তুষারপাত শক্তি পরীক্ষা

● 100% ΔVDS পরীক্ষা 


3 অ্যাপ্লিকেশন 

● সিস্টেম ক্ষুদ্রকরণ এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত হয়। 

● ইলেক্ট্রন ব্যালাস্ট এবং অ্যাডাপ্টারের পাওয়ার সুইচ সার্কিট


ভিডিএসএস  RDS(চালু) (TYP) আইডি 
600V 11Ω 0.8A



পূর্ববর্তী: 
পরবর্তী: 
  • আমাদের নিউজলেটার জন্য সাইন আপ করুন
  • ভবিষ্যতের জন্য সাইন আপ করুন
    সরাসরি আপনার ইনবক্সে আপডেট পেতে আমাদের নিউজলেটারের জন্য